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Abskk木蟲 (正式寫手)
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[交流]
【求助】如何在硅基片上生長二氧化硅?
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想在單晶硅(100)基片上生長二氧化硅,用普通的加熱電阻爐可以嗎? 若可以，是不是加熱在1050度比較合適?時間跟加熱速度該如何選擇?文獻(xiàn)講,10nm的二氧化硅生長很快，普通的電阻爐很難精確控制其厚度,作為其他薄膜的緩沖或過度層,多厚比較合適?這個合適的厚度應(yīng)該加熱多長時間(升溫速度及保溫時間\加熱溫度)? 如這種熱生長的方法不行, 該用什么方法比較合適? 向大家請教? [ Last edited by SHY31 on 2008-9-5 at 16:37 ] |
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6樓2008-09-10 08:53:14
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