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Abskk木蟲 (正式寫手)
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[交流]
【求助】如何在硅基片上生長(zhǎng)二氧化硅?
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想在單晶硅(100)基片上生長(zhǎng)二氧化硅,用普通的加熱電阻爐可以嗎? 若可以，是不是加熱在1050度比較合適?時(shí)間跟加熱速度該如何選擇?文獻(xiàn)講,10nm的二氧化硅生長(zhǎng)很快，普通的電阻爐很難精確控制其厚度,作為其他薄膜的緩沖或過度層,多厚比較合適?這個(gè)合適的厚度應(yīng)該加熱多長(zhǎng)時(shí)間(升溫速度及保溫時(shí)間\加熱溫度)? 如這種熱生長(zhǎng)的方法不行, 該用什么方法比較合適? 向大家請(qǐng)教? [ Last edited by SHY31 on 2008-9-5 at 16:37 ] |
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3樓2008-09-07 19:26:33
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5樓2008-09-08 10:06:16
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