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small421新蟲 (初入文壇)
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[求助]
直流磁控濺射制備金屬薄膜,薄膜中氧含量較高 已有2人參與
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| 采用直流磁控濺射制備金屬薄膜,直徑30mm的小靶,制備的薄膜中一直含有氧,氧含量大于20at%。設(shè)備極限真空可以10-6Pa,Ar氣也是5個9的高純Ar氣。由于設(shè)備限制,沉積前Si片為濺射清洗,但先在上面鍍了幾十nm的金層,之后再鍍膜的。求各位大神賜教,謝謝! |
新蟲 (初入文壇)
新蟲 (初入文壇)
木蟲 (正式寫手)
爐火純青

木蟲 (著名寫手)
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