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luciferosa木蟲之王 (文壇精英)
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[求助]
CeO2材料氧化預處理后H2-TPR低溫區(qū)基線抬高的現象 已有4人參與
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大家好！本人最近在研究CeO2材料H2-TPR時候發(fā)現一個問題。如下圖所示，當CeO2經過O2預處理后（300℃，10% O2/He處理10分鐘），低溫區(qū)（<250℃）出現了明顯的基線抬高現象，而同樣的材料經過還原預處理（300℃，5% H2/Ar處理10分鐘）后就沒有類似現象。如果先還原，再氧化，還是會出現同樣的基線抬高現象。想請教各位大俠這個低溫區(qū)的基線抬高該怎么解釋呀？謝謝啦！ 另：我用的儀器是麥克的 Autochem II 2920，每次氧化（或者還原）處理后都會降至-20℃通入He吹掃10分鐘 演示文稿1_副本.jpg |
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luciferosa
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9樓2015-12-16 07:13:14
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【答案】應助回帖
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感謝參與，應助指數 +1
luciferosa: 金幣+10, ★有幫助, 謝謝 2015-12-16 07:11:16
感謝參與，應助指數 +1
luciferosa: 金幣+10, ★有幫助, 謝謝 2015-12-16 07:11:16
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吹掃的時間有點短，還有就是會不會是表面吸附氧脫附了，氧化鈰是儲氧材料，溫度低的時候表面氧并沒有被氫還原或是部分被氫還原而更多出現了脫附？ 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
7樓2015-12-15 20:44:31
luciferosa
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謝謝，但我發(fā)現不預氧化的話就不會出現這個現象，比如預還原后處理時間和條件都與預氧化一致，卻不會有基線抬高。而且以上結果重復性非常好，做了3遍曲線都完全重合，不太像是誤差所致，這是何解？ 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
8樓2015-12-16 07:09:51
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