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張三的歌木蟲 (正式寫手)
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[求助]
化學(xué)腐蝕法制備的硅納米線能否做到平均直徑到10nm左右?
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| 如題,看了很多文獻(xiàn),硅納米線直徑對(duì)物理性質(zhì)(量子尺寸效應(yīng))的影響還是很明顯的。目前特別細(xì)的硅納米線主要是CVD法做的。而化學(xué)腐蝕法制備得到的硅納米線普遍都很粗,都是一百甚至好幾百納米的,請(qǐng)問這種方法能否將硅納米線的平均直徑控制在10nm左右或者更細(xì)? |

新蟲 (初入文壇)
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可以的。 化學(xué)法制備的硅線形貌與催化劑形態(tài)密切相關(guān),一般化學(xué)法用化學(xué)法在硅片表面沉積Ag做催化劑,所得硅線平均直徑都在數(shù)百納米以上,很看到直徑均一,且小于50納米的硅線陣列,其原因在于:1)無(wú)法在硅片表面獲得小顆粒的催化劑,因此所圍成間隙也很大,2)Ag催化劑在腐蝕過程中有奧斯瓦爾德熟化,消失的Ag顆粒將導(dǎo)致粗直徑的硅線形成,以及硅線陣列的直徑不一。 如克服以上兩個(gè)難點(diǎn),則不難得到細(xì)直徑的硅線陣列,如:用離子束技術(shù)作為沉積手段在硅片表面形成小顆粒的Au-Ag合金作為催化劑可以得到平均直徑在10nm左右的硅納米線陣列,具體方法可以看這篇文章: DOI: 10.1039/C5NR02876K (Communication) Nanoscale, 2015, 7, 17268-17273 |
木蟲 (正式寫手)

新蟲 (初入文壇)
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