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張三的歌木蟲 (正式寫手)
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[求助]
化學(xué)腐蝕法制備的硅納米線能否做到平均直徑到10nm左右？
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| 如題，看了很多文獻(xiàn)，硅納米線直徑對物理性質(zhì)(量子尺寸效應(yīng))的影響還是很明顯的。目前特別細(xì)的硅納米線主要是CVD法做的。而化學(xué)腐蝕法制備得到的硅納米線普遍都很粗，都是一百甚至好幾百納米的，請問這種方法能否將硅納米線的平均直徑控制在10nm左右或者更細(xì)？ |
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【答案】應(yīng)助回帖
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可以的。 化學(xué)法制備的硅線形貌與催化劑形態(tài)密切相關(guān)，一般化學(xué)法用化學(xué)法在硅片表面沉積Ag做催化劑，所得硅線平均直徑都在數(shù)百納米以上，很看到直徑均一，且小于50納米的硅線陣列，其原因在于：1)無法在硅片表面獲得小顆粒的催化劑，因此所圍成間隙也很大，2）Ag催化劑在腐蝕過程中有奧斯瓦爾德熟化，消失的Ag顆粒將導(dǎo)致粗直徑的硅線形成，以及硅線陣列的直徑不一。 如克服以上兩個難點(diǎn)，則不難得到細(xì)直徑的硅線陣列，如：用離子束技術(shù)作為沉積手段在硅片表面形成小顆粒的Au-Ag合金作為催化劑可以得到平均直徑在10nm左右的硅納米線陣列，具體方法可以看這篇文章： DOI: 10.1039/C5NR02876K (Communication) Nanoscale, 2015, 7, 17268-17273 |
2樓2016-01-07 16:51:33
張三的歌
木蟲 (正式寫手)
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3樓2016-01-07 16:56:34
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4樓2016-01-07 17:17:19
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5樓2018-01-11 22:33:41
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