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bjwang鐵桿木蟲 (正式寫手)
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[求助]
二維體系加電場的ISIF取2還是3？？？
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嘗試計(jì)算電場對(duì)二維體系電子結(jié)構(gòu)等的影響，借鑒了小木蟲上的一些帖子（比如：http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8223517&fpage=1：） 主要設(shè)置下面三個(gè)參數(shù)： EFIELD = 0.05 IDIPOL = 3 #z direction LDIPOL = .TRUE. 我的計(jì)算步驟如下： （1）先不加電場進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，此時(shí)ISIF=3； （2）利用上面的結(jié)構(gòu)，加上電場（在INCAR里加入上面三個(gè)參數(shù)），此時(shí)ISIF=3時(shí)，優(yōu)化出錯(cuò)（ZBRENT: fatal error in bracketing please rerun with smaller EDIFF, or copy CONTCAR to POSCAR and continue），然而，當(dāng)我把ISIF取為2時(shí)，結(jié)果很快就收斂了！ 我的問題是： （1）對(duì)于二維體系，ISIF是不是只能取2？ （注：大神valenhou001在回復(fù)關(guān)于“金屬薄膜體系”加電場的一個(gè)帖子————http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8223517&fpage=1時(shí)說”對(duì)于表面體系的超原胞的計(jì)算，不要采用ISIF=3. 正確或合理的步驟：先優(yōu)化和計(jì)算好塊體材料的結(jié)構(gòu)參數(shù)（晶格常數(shù)，原子坐標(biāo)），再切表面構(gòu)造出表面體系的超原胞，對(duì)這樣得到的表面體系的超原胞進(jìn)行只優(yōu)化原子位置（也就是ISIF=2），平行于表面的晶格常數(shù)固定，表面法向方向上的晶格常數(shù)根據(jù)真空層厚度以及原子層厚度來取�！埃�， 侯老師上面說的”表面體系的超原胞“和二維體系的意思類似嗎？也就是說對(duì)于二維體系，ISIF也只能取2？？？ （2）如果（1）不合適，ISIF=3出錯(cuò)，應(yīng)該是我的結(jié)構(gòu)在cell改變時(shí)，結(jié)構(gòu)發(fā)生不合理的變化造成的，如何解決？ （3）在計(jì)算中，采用ISIF=2與ISIF=3在考慮電場的影響上來說，差別大不？ 謝謝各位大神! |
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