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bjwang鐵桿木蟲 (正式寫手)
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[求助]
二維體系加電場的ISIF取2還是3???
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嘗試計算電場對二維體系電子結構等的影響,借鑒了小木蟲上的一些帖子(比如:http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8223517&fpage=1:) 主要設置下面三個參數(shù): EFIELD = 0.05 IDIPOL = 3 #z direction LDIPOL = .TRUE. 我的計算步驟如下: (1)先不加電場進行結構優(yōu)化,此時ISIF=3; (2)利用上面的結構,加上電場(在INCAR里加入上面三個參數(shù)),此時ISIF=3時,優(yōu)化出錯(ZBRENT: fatal error in bracketing please rerun with smaller EDIFF, or copy CONTCAR to POSCAR and continue),然而,當我把ISIF取為2時,結果很快就收斂了! 我的問題是: (1)對于二維體系,ISIF是不是只能取2? (注:大神valenhou001在回復關于“金屬薄膜體系”加電場的一個帖子————http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8223517&fpage=1時說”對于表面體系的超原胞的計算,不要采用ISIF=3. 正確或合理的步驟:先優(yōu)化和計算好塊體材料的結構參數(shù)(晶格常數(shù),原子坐標),再切表面構造出表面體系的超原胞,對這樣得到的表面體系的超原胞進行只優(yōu)化原子位置(也就是ISIF=2),平行于表面的晶格常數(shù)固定,表面法向方向上的晶格常數(shù)根據(jù)真空層厚度以及原子層厚度來取!埃 侯老師上面說的”表面體系的超原胞“和二維體系的意思類似嗎?也就是說對于二維體系,ISIF也只能取2??? (2)如果(1)不合適,ISIF=3出錯,應該是我的結構在cell改變時,結構發(fā)生不合理的變化造成的,如何解決? (3)在計算中,采用ISIF=2與ISIF=3在考慮電場的影響上來說,差別大不? 謝謝各位大神! |

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