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易水刀客鐵桿木蟲 (著名寫手)
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[求助]
TFT的開啟問題
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小白不是學(xué)物理的，但是現(xiàn)在從事跟IC相關(guān)的工作 非常希望跟一些專業(yè)人士學(xué)點(diǎn)知識(shí)。 如下圖 在PMOS電路當(dāng)中，作為導(dǎo)通電流的載流子實(shí)際上是空穴 根據(jù)摻雜濃度我們知道S/D當(dāng)中的濃度要遠(yuǎn)高于channel 而后者為N摻，實(shí)際上空穴為少子 所以，為什么要用少子來開啟這個(gè)TFT 假設(shè)柵極，源漏極的電路不變，即柵極輸入仍為低電平， 那么用NMOS管子會(huì)是什么結(jié)果 理論上，源漏為N摻，則空穴為少子，這時(shí)候channel里的空穴為多子 請(qǐng)問下，這個(gè)時(shí)候電路能導(dǎo)通嗎 結(jié)果是怎么樣的 答的好的，可以追加金幣 謝謝。 FET 示意圖.PNG |
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易水刀客
鐵桿木蟲 (著名寫手)
- 應(yīng)助: 79 (初中生)
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- 注冊: 2010-10-16
- 專業(yè): 交叉學(xué)科中的光學(xué)問題
3樓2016-01-10 20:00:42
2樓2016-01-10 19:06:57
4樓2016-01-10 20:55:19
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