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夢(mèng)魂縈繞新蟲 (初入文壇)
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[交流]
橢偏儀測(cè)量雙層疊加膜膜厚及折射率方法 已有2人參與
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金蟲 (小有名氣)
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在單晶硅基底上使用PECVD法先鍍上一層30nm左右的氧化鋁膜,然后在氧化鋁膜上再鍍一層80nm左右的氮化硅膜。我想用橢偏儀測(cè)氧化鋁和氮化硅雙層疊加膜的整體膜厚及整體折射率,有辦法實(shí)現(xiàn)嗎?還是說只能得到最外層的膜厚折射率?如果能的話要怎么建立模型,下圖中各層介質(zhì)如何選擇及參數(shù)怎么填寫?另外一個(gè)問題:測(cè)量單晶硅基底上薄膜的膜厚折射率為什么要使用傾斜的平臺(tái)? --------------我用的是寬光譜橢偏,這個(gè)是可以測(cè)多層的,激光的提供的數(shù)據(jù)可能不夠計(jì)算多層膜,還有周期性問題,建議單層單層的測(cè); noname那里應(yīng)該可以選SiN或是AlO吧~參數(shù)填寫 這個(gè)一般在光譜橢偏里就是選個(gè)色散公式,這里沒看到有哪可以選啊;你這單晶硅是用作PV,做了texture的嗎? 他們的傾斜臺(tái)是用來測(cè)PV樣的 |
鐵蟲 (初入文壇)
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