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夢(mèng)魂縈繞新蟲(chóng) (初入文壇)
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[交流]
橢偏儀測(cè)量雙層疊加膜膜厚及折射率方法 已有2人參與
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新人求助各位大神： 我使用的是se adv400激光橢偏儀，在單晶硅基底上使用PECVD法先鍍上一層30nm左右的氧化鋁膜，然后在氧化鋁膜上再鍍一層80nm左右的氮化硅膜。我想用橢偏儀測(cè)氧化鋁和氮化硅雙層疊加膜的整體膜厚及整體折射率，有辦法實(shí)現(xiàn)嗎？還是說(shuō)只能得到最外層的膜厚折射率？如果能的話要怎么建立模型，下圖中各層介質(zhì)如何選擇及參數(shù)怎么填寫(xiě)?另外一個(gè)問(wèn)題：測(cè)量單晶硅基底上薄膜的膜厚折射率為什么要使用傾斜的平臺(tái)？求大神詳細(xì)解答  WP_20160112_21_34_53_Pro.jpg WP_20151119_10_08_56_Pro.jpg |
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maxiaowei88
鐵蟲(chóng) (初入文壇)
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3樓2016-12-28 17:18:44
Maxmind
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小木蟲(chóng): 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
小木蟲(chóng): 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
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在單晶硅基底上使用PECVD法先鍍上一層30nm左右的氧化鋁膜，然后在氧化鋁膜上再鍍一層80nm左右的氮化硅膜。我想用橢偏儀測(cè)氧化鋁和氮化硅雙層疊加膜的整體膜厚及整體折射率，有辦法實(shí)現(xiàn)嗎？還是說(shuō)只能得到最外層的膜厚折射率？如果能的話要怎么建立模型，下圖中各層介質(zhì)如何選擇及參數(shù)怎么填寫(xiě)?另外一個(gè)問(wèn)題：測(cè)量單晶硅基底上薄膜的膜厚折射率為什么要使用傾斜的平臺(tái)？ --------------我用的是寬光譜橢偏，這個(gè)是可以測(cè)多層的，激光的提供的數(shù)據(jù)可能不夠計(jì)算多層膜，還有周期性問(wèn)題，建議單層單層的測(cè)； noname那里應(yīng)該可以選SiN或是AlO吧~參數(shù)填寫(xiě)  這個(gè)一般在光譜橢偏里就是選個(gè)色散公式，這里沒(méi)看到有哪可以選啊；你這單晶硅是用作PV，做了texture的嗎？ 他們的傾斜臺(tái)是用來(lái)測(cè)PV樣的 |
2樓2016-01-29 15:58:32
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