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Silicane靜態(tài)計算之后利用Bader分析發(fā)現(xiàn)兩個Si的電荷數(shù)居然不等,還相差很大…… 已有1人參與
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前幾天計算Silicane(單層Silicene兩邊用H飽和的結(jié)構(gòu),Silicene是一種二維材料),發(fā)現(xiàn)一個問題…… 結(jié)構(gòu)優(yōu)化,靜態(tài)計算之後,進行Bader分析,結(jié)果相當出人意料,兩個Si的電荷數(shù)居然不等! 要知道,這兩個Si是完全等價的…… 分析結(jié)果如下: # X Y Z CHARGE MIN DIST ATOMIC VOL -------------------------------------------------------------------------------- 1 2.2286 0.0000 9.5609 3.5469 0.7023 20.9265 2 4.4571 0.0000 10.2849 3.2780 0.7023 19.4710 3 2.2286 0.0000 8.0619 1.5876 0.7280 107.8755 4 4.4571 0.0000 11.7838 1.5876 0.7280 107.8053 -------------------------------------------------------------------------------- VACUUM CHARGE: 0.0000 VACUUM VOLUME: 0.0000 NUMBER OF ELECTRONS: 10.0000 一個Si是3.5469,另一個是3.2780,這兩個數(shù)值相差的還挺大 開始以為是精度不夠,但是加大K點到45X45X1,還是不等…… 嘗試加大NGX, NGY, NGZ 還是不行 將原胞擴展成2X2超胞之后,也還是不行,Si原子之間的電子數(shù)就是不等…… 不知道有沒有前輩遇到過這個問題,還請各位多多賜教…… |

金蟲 (小有名氣)
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呵呵,我計算了硅稀與硅烷(silicene,silicane)異質(zhì)結(jié),即將硅稀層放在硅烷層的上面。后來我也用了那個bader charge 分析,結(jié)果在最后一步bader CHGRG -ref CHGCAR_sum卻出現(xiàn)了錯誤,should be no new maxima in edge refinement。不知道樓上大神遇見過這種情況沒有,拜求解惑 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
銅蟲 (小有名氣)
木蟲 (著名寫手)
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這也正常,因為Bader以電荷密度極小處做為原子邊界分割點,這種方法其實是不適合共價體系。Si-Si鍵當中有較大電荷密度,如以下文章圖1(b): http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.91.205433 所以Bader方法在分割原子邊界時,可定會避開Si-Si中間電荷極大點,而選擇靠近其中一個原子的某個地方做為邊界,所以會導致兩個原子不均等了。 |


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