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DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP計算電導(dǎo)率時,如何評價因帶隙不準(zhǔn)而產(chǎn)生的誤差? 已有2人參與
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例子:Si,金剛石結(jié)構(gòu)。DFT計算出的帶隙值約0.629 eV,實驗值1.12 eV(0 K)。 如果用DFT計算出的電子結(jié)構(gòu),導(dǎo)入BoltzTraP中計算電導(dǎo)率(電子的relaxation time問題另論),所得結(jié)果該如何評價?直接說算的電導(dǎo)率不準(zhǔn),還是說這個偏小的帶隙值對電子輸運特性的影響可以忽略? |
Boltztrap專輯 |
新蟲 (小有名氣)
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帶隙大,對應(yīng)帶隙中間化學(xué)式的范圍也就大,對化學(xué)勢有顯著影響。而載流子濃度主要取決于化學(xué)勢與能帶的能量間距,比如化學(xué)勢與CBM的距離。這個能量間距主要影響費米狄拉克分布。(載流子濃度是態(tài)密度乘以費米狄拉克分布對能量積分。)懂了沒? [ 發(fā)自手機版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
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