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DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP計算電導率時,如何評價因帶隙不準而產(chǎn)生的誤差? 已有2人參與
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例子:Si,金剛石結構。DFT計算出的帶隙值約0.629 eV,實驗值1.12 eV(0 K)。 如果用DFT計算出的電子結構,導入BoltzTraP中計算電導率(電子的relaxation time問題另論),所得結果該如何評價?直接說算的電導率不準,還是說這個偏小的帶隙值對電子輸運特性的影響可以忽略? |
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