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關(guān)于直接半導(dǎo)體和間接半導(dǎo)體的問(wèn)題 已有1人參與
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除了能帶上的差別，在其他方面這二者的差別都會(huì)體現(xiàn)在哪些方面？ 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
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rbysdzyga: 金幣+10, ★★★很有幫助 2016-04-10 11:00:48
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 本帖僅樓主可見(jiàn) |
2樓2016-04-10 08:52:21
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謝謝！我基礎(chǔ)較差，怎樣理解吸收光不需要轉(zhuǎn)化聲子振動(dòng)？可以理解成瞄準(zhǔn)一個(gè)方向射擊，但瞄的不準(zhǔn)需要額外的動(dòng)量來(lái)改變運(yùn)動(dòng)方向嗎？電子吸收能量是一定要先到導(dǎo)帶底嗎？ 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
3樓2016-04-10 11:04:03
wallacegznu
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直接帶隙半導(dǎo)體材料天然滿(mǎn)足能量守恒以及動(dòng)量守恒條件，制作成光電器件的時(shí)候，只要入射光的能量大于禁帶寬度就可以使得價(jià)帶電子躍遷至導(dǎo)帶。但是間接帶隙半導(dǎo)體材料不滿(mǎn)足動(dòng)量守恒的條件，當(dāng)入射光的能量大于禁帶寬度時(shí)，還需要聲子參加作用，才能使得動(dòng)量守恒。由于多了聲子參加作用，所以發(fā)光效率就降低了，這就是為什么多用砷化鎵（直接帶隙）而不是硅（間接帶隙）來(lái)制作發(fā)光器件的原因。 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
4樓2016-04-10 19:58:37
wallacegznu
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根據(jù)玻爾茲曼分布條件可知，導(dǎo)帶上能量越高的狀態(tài)被電子占據(jù)的幾率就越小，導(dǎo)帶底能量最低，因此電子從價(jià)帶頂躍遷至導(dǎo)帶底的幾率最大，可以認(rèn)為幾乎電子都占據(jù)導(dǎo)帶底狀態(tài)。 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
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5樓2016-04-10 20:05:04
送紅花一朵 |
謝謝！就是這兩種半導(dǎo)體主要差在了對(duì)光的能量的利用效率是吧？間接半導(dǎo)體根據(jù)它的特點(diǎn)有什么特殊的作用嗎？ 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
6樓2016-04-10 20:35:47
wallacegznu
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在發(fā)光效率上有很大差別。間接帶隙半導(dǎo)體，例如硅，在制造工藝上很成熟，制造硅單晶的成本要遠(yuǎn)小于制造砷化鎵的成本。砷化鎵基材料應(yīng)用在光電，高速，功率器件的場(chǎng)合比較多。硅基材料多應(yīng)用于大規(guī)模集成電路。 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
7樓2016-04-10 22:09:49
wonderfulll
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