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關(guān)于直接半導體和間接半導體的問題 已有1人參與
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除了能帶上的差別，在其他方面這二者的差別都會體現(xiàn)在哪些方面？ 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
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wallacegznu
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直接帶隙半導體材料天然滿足能量守恒以及動量守恒條件，制作成光電器件的時候，只要入射光的能量大于禁帶寬度就可以使得價帶電子躍遷至導帶。但是間接帶隙半導體材料不滿足動量守恒的條件，當入射光的能量大于禁帶寬度時，還需要聲子參加作用，才能使得動量守恒。由于多了聲子參加作用，所以發(fā)光效率就降低了，這就是為什么多用砷化鎵（直接帶隙）而不是硅（間接帶隙）來制作發(fā)光器件的原因。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
4樓2016-04-10 19:58:37
匿名
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 本帖僅樓主可見 |
2樓2016-04-10 08:52:21
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謝謝！我基礎(chǔ)較差，怎樣理解吸收光不需要轉(zhuǎn)化聲子振動？可以理解成瞄準一個方向射擊，但瞄的不準需要額外的動量來改變運動方向嗎？電子吸收能量是一定要先到導帶底嗎？ 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
3樓2016-04-10 11:04:03
wallacegznu
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根據(jù)玻爾茲曼分布條件可知，導帶上能量越高的狀態(tài)被電子占據(jù)的幾率就越小，導帶底能量最低，因此電子從價帶頂躍遷至導帶底的幾率最大，可以認為幾乎電子都占據(jù)導帶底狀態(tài)。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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rbysdzyga5樓2016-04-10 20:05:04
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