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Ghostridden新蟲 (初入文壇)
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[求助]
等離子體刻蝕技術(shù)中的小疑惑求解 已有2人參與
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在半導(dǎo)體等離子體刻蝕技術(shù)中,為什么說靠近等離子體的任何東西(應(yīng)該指的接地的導(dǎo)電物)都會(huì)帶負(fù)電?書上解釋是“電子速度快”,但是這個(gè)答案我沒找到合理的推導(dǎo)關(guān)系。求助 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
木蟲 (正式寫手)
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等離子體仍然是準(zhǔn)中性,而從等離子體過渡到邊界的鞘層是可以這么說的,里面正離子多于負(fù)電子。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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這個(gè)和等離子體鞘層有關(guān),你可以看看《等離子體放電原理與材料處理》這本書。 在一些刻蝕工藝中,基板上會(huì)施加偏壓,偏壓對(duì)電子運(yùn)動(dòng)也是有作用的。 這個(gè)就得看具體的工藝了。 |
新蟲 (初入文壇)
送紅花一朵 |
謝謝回復(fù)。書上說鞘層是從輝光現(xiàn)象定義的,因?yàn)榍蕦又腥鄙匐娮,所以激發(fā)-松弛碰撞比較少,因此是暗而不發(fā)光的區(qū)域,稱為鞘層。但是缺少電子的原因是因?yàn)榻咏入x子體的東西帶負(fù)電,同性相斥把電子驅(qū)趕到中央去了。因此鞘層是結(jié)果,最多是有反饋?zhàn)饔玫慕Y(jié)果,而不是原因。 我正好有機(jī)會(huì)問了只和行業(yè)的技術(shù)副總,他說的理由也是“電子速度快”,也是因?yàn)橄扔星蕦铀噪妷罕戎車撸钥拷臇|西帶負(fù)電。我仍不能理解。 他還說到一個(gè)詞貌似是“電荷損耗”,說電子跑得快,等離子體又是有限大小,所以電子會(huì)有更多損耗。但是我問他是不是意味著等離子體此時(shí)是帶正點(diǎn)的,他又否認(rèn)這一點(diǎn)。我依舊糊涂 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
木蟲 (正式寫手)
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我來嘗試回答一下。在等離子體中,電子質(zhì)量小、溫度高,所以它的遷移率(miu)和擴(kuò)散系數(shù)(De)要遠(yuǎn)大于離子。在遇到邊界時(shí),由于等離子體濃度梯度的存在,電子和離子都往邊界運(yùn)動(dòng)(擴(kuò)散和遷移)。由于電子的De大,跑得比離子快,形成一個(gè)電場(chǎng),指向邊界。這樣就造成你說的帶負(fù)電性。詳細(xì)理論搜索“雙極擴(kuò)散(ambipolar diffusion)”。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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