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mmzlmzl鐵蟲 (初入文壇)
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[求助]
直流濺射相關(guān)參數(shù)影響的請(qǐng)教
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自己想做關(guān)于金濺射相關(guān)的實(shí)驗(yàn),用的是直流濺射儀(DC sputter)。然后現(xiàn)在遇到的問題就是, 1.如果增加濺射儀的power ,金顆粒在真空狀態(tài)下下落速度是會(huì)增加?如果速度增加的話,那么他在磁場中的移動(dòng)是否會(huì)呈現(xiàn)更好的直線性?又或者說,他通過某個(gè)掩膜的話,加大電壓那么通過的顆粒會(huì)更多? 自己查詢了很多相關(guān)的資料,實(shí)在找不到,實(shí)驗(yàn)停滯在這里沒有辦法進(jìn)行。有沒有大神做過這個(gè)參數(shù)變化,然后觀察金顆;蛘咂渌饘兕w粒的變化的? |
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1.濺射出的粒子在真空中的運(yùn)動(dòng)基本是自由運(yùn)動(dòng),重力影響可以忽略不計(jì)。2.增加功率,薄膜沉積速率會(huì)上升.3.濺射出的粒子因?yàn)橘|(zhì)量較大,即使帶電荷受磁場影響也很小,增加直線性最好的辦法是適當(dāng)提高鍍膜時(shí)的真空,增加濺射粒子的平均自由程,或者減小靶基距。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
鐵蟲 (初入文壇)
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