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mmzlmzl鐵蟲 (初入文壇)
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[求助]
直流濺射相關參數影響的請教
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自己想做關于金濺射相關的實驗,用的是直流濺射儀(DC sputter)。然后現在遇到的問題就是, 1.如果增加濺射儀的power ,金顆粒在真空狀態(tài)下下落速度是會增加?如果速度增加的話,那么他在磁場中的移動是否會呈現更好的直線性?又或者說,他通過某個掩膜的話,加大電壓那么通過的顆粒會更多? 自己查詢了很多相關的資料,實在找不到,實驗停滯在這里沒有辦法進行。有沒有大神做過這個參數變化,然后觀察金顆;蛘咂渌饘兕w粒的變化的? |
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1.濺射出的粒子在真空中的運動基本是自由運動,重力影響可以忽略不計。2.增加功率,薄膜沉積速率會上升.3.濺射出的粒子因為質量較大,即使帶電荷受磁場影響也很小,增加直線性最好的辦法是適當提高鍍膜時的真空,增加濺射粒子的平均自由程,或者減小靶基距。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
鐵蟲 (初入文壇)
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