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[交流]
【討論】大家?guī)兔φf說我的樣品(單晶基片上的鋁膜)能否做EBSD呢？
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封裝好的電子器件，尺寸大概1cm X 0.5cm，把其中一面的塑料殼磨掉，露出里面引線鍵合著的芯片。芯片是鍍有一層金屬鋁膜的基片，基片尺寸大概 8mm X 2mm X 0.5mm，其上的鋁膜厚度約500nm，鋁膜已經(jīng)光刻蝕刻圖形化，成為線寬10μm，線距10μm的鋁線圖形。 我想表征的是鋁膜的晶粒尺寸分布，但SEM下顯示的圖形無法判斷，TEM制樣又太麻煩，現(xiàn)在想用EBSD來做，大伙說這個(gè)樣品適合做EBSD么，能得到清晰的晶粒取向圖形，能判斷晶粒尺寸嗎？(薄膜中Al晶粒尺寸較小，我估計(jì)在200nm至1.5μm之間) [ Last edited by r9arrow on 2010-1-20 at 20:58 ] 檢測(cè)表征 [ Last edited by ding2008212 on 2011-3-24 at 12:17 ] |
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2樓2010-01-20 22:12:07
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yusen_1982(金幣+1,VIP+0):歡迎討論�。。�！ 1-21 07:20
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yusen_1982(金幣+1,VIP+0):歡迎討論�。。�！ 1-21 07:20
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只要表面沒有氧化鋁影響可以直接做，EBSD分析沒必要腐蝕。 建議多試幾個(gè)不同加速電壓，估計(jì)稍低加速電壓效果會(huì)好，高速電壓會(huì)穿透薄膜。基片是Si？若基片不導(dǎo)電也比較麻煩，若是Si基片也麻煩，因?yàn)镾i的衍射信號(hào)很強(qiáng)，會(huì)掩蓋Al膜的衍射信號(hào)，或者你可能會(huì)分辨不出做出來的map是Al的還是Si的，因?yàn)槎际荈CC結(jié)構(gòu)，兩者極易誤標(biāo)。 另一方面，線寬10微米也很小，場(chǎng)發(fā)射電鏡是首選。 |
4樓2010-01-20 23:20:01
5樓2010-01-20 23:37:29
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6樓2010-01-21 12:23:03
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