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[交流]
【討論】大家?guī)兔φf說我的樣品(單晶基片上的鋁膜)能否做EBSD呢?
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封裝好的電子器件,尺寸大概1cm X 0.5cm,把其中一面的塑料殼磨掉,露出里面引線鍵合著的芯片。芯片是鍍有一層金屬鋁膜的基片,基片尺寸大概 8mm X 2mm X 0.5mm,其上的鋁膜厚度約500nm,鋁膜已經(jīng)光刻蝕刻圖形化,成為線寬10μm,線距10μm的鋁線圖形。 我想表征的是鋁膜的晶粒尺寸分布,但SEM下顯示的圖形無法判斷,TEM制樣又太麻煩,現(xiàn)在想用EBSD來做,大伙說這個(gè)樣品適合做EBSD么,能得到清晰的晶粒取向圖形,能判斷晶粒尺寸嗎?(薄膜中Al晶粒尺寸較小,我估計(jì)在200nm至1.5μm之間) [ Last edited by r9arrow on 2010-1-20 at 20:58 ] 檢測(cè)表征 [ Last edited by ding2008212 on 2011-3-24 at 12:17 ] |

金蟲 (小有名氣)

專家顧問 (知名作家)
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只要表面沒有氧化鋁影響可以直接做,EBSD分析沒必要腐蝕。 建議多試幾個(gè)不同加速電壓,估計(jì)稍低加速電壓效果會(huì)好,高速電壓會(huì)穿透薄膜;荢i?若基片不導(dǎo)電也比較麻煩,若是Si基片也麻煩,因?yàn)镾i的衍射信號(hào)很強(qiáng),會(huì)掩蓋Al膜的衍射信號(hào),或者你可能會(huì)分辨不出做出來的map是Al的還是Si的,因?yàn)槎际荈CC結(jié)構(gòu),兩者極易誤標(biāo)。 另一方面,線寬10微米也很小,場發(fā)射電鏡是首選。 |


專家顧問 (知名作家)
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木蟲 (小有名氣)
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