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[交流]
【討論】大家?guī)兔φf說我的樣品(單晶基片上的鋁膜)能否做EBSD呢？
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封裝好的電子器件，尺寸大概1cm X 0.5cm，把其中一面的塑料殼磨掉，露出里面引線鍵合著的芯片。芯片是鍍有一層金屬鋁膜的基片，基片尺寸大概 8mm X 2mm X 0.5mm，其上的鋁膜厚度約500nm，鋁膜已經(jīng)光刻蝕刻圖形化，成為線寬10μm，線距10μm的鋁線圖形。 我想表征的是鋁膜的晶粒尺寸分布，但SEM下顯示的圖形無法判斷，TEM制樣又太麻煩，現(xiàn)在想用EBSD來做，大伙說這個樣品適合做EBSD么，能得到清晰的晶粒取向圖形，能判斷晶粒尺寸嗎？(薄膜中Al晶粒尺寸較小，我估計在200nm至1.5μm之間) [ Last edited by r9arrow on 2010-1-20 at 20:58 ] 檢測表征 [ Last edited by ding2008212 on 2011-3-24 at 12:17 ] |
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8樓2010-01-21 14:12:02
seamaid_love
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2樓2010-01-20 22:12:07
3樓2010-01-20 23:02:25
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小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
yusen_1982(金幣+1,VIP+0):歡迎討論�。。。� 1-21 07:20
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yusen_1982(金幣+1,VIP+0):歡迎討論�。。。� 1-21 07:20
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只要表面沒有氧化鋁影響可以直接做，EBSD分析沒必要腐蝕。 建議多試幾個不同加速電壓，估計稍低加速電壓效果會好，高速電壓會穿透薄膜。基片是Si？若基片不導(dǎo)電也比較麻煩，若是Si基片也麻煩，因為Si的衍射信號很強，會掩蓋Al膜的衍射信號，或者你可能會分辨不出做出來的map是Al的還是Si的，因為都是FCC結(jié)構(gòu)，兩者極易誤標(biāo)。 另一方面，線寬10微米也很小，場發(fā)射電鏡是首選。 |
4樓2010-01-20 23:20:01
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