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horse1825銀蟲 (初入文壇)
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[交流]
【求助】關(guān)于P型Si的電阻率和摻雜濃度的關(guān)系 已有5人參與
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| 審稿專家問我,我用來做薄膜襯底的P型Si基片的摻雜濃度是多少?我打電話問生產(chǎn)廠家,得知電阻率是5~8歐厘米,但是摻雜濃度也不知道!所以我想請教各位大俠,有誰知道“電阻率是5~8歐厘米的B摻雜Si,其摻雜濃度大概是多少?是重?fù)诫s還是輕摻雜?”小弟不勝感激! |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
金蟲 (小有名氣)
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鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員
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。。。是單晶還是多晶?電阻率和濃度的關(guān)系理論上取樣于電子和空穴補(bǔ)償后的凈載流子濃度。但是工業(yè)化生產(chǎn)的硅片,如果是B摻雜的話,施主的濃度和受主的濃度不在一個數(shù)量級上,施主可以忽略。所以可以根據(jù)電阻率和濃度的關(guān)系來計(jì)算。找本半導(dǎo)體物理書看看就知道。p型5-8歐的話,(1.6---2.5)x1015次方左右?昭ㄟw移率取1500算的。屬于中等摻雜,不算重?fù)。單晶的話這個精度夠用了,多晶的話,精度高低取決于晶粒尺寸,晶粒尺寸越大,精度越高。 |

鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員

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