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【原創(chuàng)】關(guān)于四探針測(cè)半導(dǎo)體薄膜電阻率的問題 已有10人參與
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最近需要測(cè)一個(gè)厚度為200nm的薄膜電阻率,所用儀器為RTS-8型四探針測(cè)試儀。由于該儀器測(cè)薄層電阻的最后分辨厚度為1um,所以不能直接測(cè)量該薄層的電阻率。在網(wǎng)上百度,谷歌了一下,09年有一位lonqiao蟲友也遇到和我一樣的問題,并在該論壇金屬板塊求助,結(jié)果沒有人準(zhǔn)確回答該問題。后來我直接電聯(lián)四探針科技客服,得到答復(fù)如下,希望對(duì)各位蟲友有所幫助: 對(duì)于膜厚1um以下的薄膜,先測(cè)量薄層的方塊電阻,然后再用方塊電阻乘以厚度得出電阻率。 |
鈣鈦礦太陽能電池 | 材料分析測(cè)試 | 四探針測(cè)電阻 | 分析測(cè)試 |
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