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weiwei128金蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】計算電荷密度差的方法
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大家好,現(xiàn)在用vasp做體系的電荷密度差,有些疑問,想請教下版友。在論壇里搜了下以前的帖子,有兩種方法: 一,delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom 其中 RHO_sc 為自洽的面電荷密度,而 RHO_atom 為相應(yīng)的非自洽的面電荷密度,是由理想的原子周圍電荷分布堆徹得到的,即為原子電荷密度的疊加(a superposition of atomic charge densities)。RHO_atom的非自洽計算需要在INCAR中設(shè)置ICHARG=12,NELM=0;最后把兩次得到的CHGCAR相減得到了電荷密度差文件; 二,假設(shè)吸附體系為A+B,先計算A+B的自洽電荷密度,然后在FFT mesh相同的條件下,分別計算A, B的自洽電荷密度,最后CHGCAR(A+B)- CHGCAR(A)- CHGCAR(B). 我的疑問是哪種方法是對的,或者更精確?個人傾向后一種,文獻(xiàn)里用這種公式的比較多,但是自己用第二種方法算的時候,不知道怎么設(shè)置相同的FFT mesh? 分別計算A, B的時候,空間坐標(biāo)要和A+B體系中一致嗎?怎么設(shè)置。。刪掉多余的原子? 懇求幫助,謝謝~~~ |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
新蟲 (初入文壇)
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