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weiwei128金蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】計(jì)算電荷密度差的方法
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大家好，現(xiàn)在用vasp做體系的電荷密度差，有些疑問，想請教下版友。在論壇里搜了下以前的帖子，有兩種方法： 一，delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom 其中 RHO_sc 為自洽的面電荷密度，而 RHO_atom 為相應(yīng)的非自洽的面電荷密度，是由理想的原子周圍電荷分布堆徹得到的，即為原子電荷密度的疊加(a superposition of atomic charge densities)。RHO_atom的非自洽計(jì)算需要在INCAR中設(shè)置ICHARG=12，NELM=0；最后把兩次得到的CHGCAR相減得到了電荷密度差文件； 二，假設(shè)吸附體系為A+B，先計(jì)算A+B的自洽電荷密度，然后在FFT mesh相同的條件下，分別計(jì)算A, B的自洽電荷密度，最后CHGCAR（A+B）- CHGCAR（A）- CHGCAR（B). 我的疑問是哪種方法是對的，或者更精確？個(gè)人傾向后一種，文獻(xiàn)里用這種公式的比較多，但是自己用第二種方法算的時(shí)候，不知道怎么設(shè)置相同的FFT mesh？ 分別計(jì)算A, B的時(shí)候，空間坐標(biāo)要和A+B體系中一致嗎？怎么設(shè)置。。刪掉多余的原子？ 懇求幫助，謝謝~~~ |
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