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jackson19銀蟲 (正式寫手)
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[交流]
【請教】做PL使用儀器問題以及其他相關問題? 已有4人參與
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最近想做硅納米結(jié)構(gòu)材料的光致發(fā)光,使用的是日立F-4500熒光分光光度計,做出來的結(jié)果基本上沒與硅材料帶隙重合,選擇時激發(fā)光選擇比文獻報道的514.5nm都小,對于這個現(xiàn)象我有以下幾個問題: 1.大家做PL用的是什么儀器,激發(fā)光源如何選擇?用熒光分光光度計如果能行的話,是不是材料的選擇限定于熒光發(fā)光較強的材料呢? 2.同種材料根據(jù)帶隙計算出發(fā)光波長,偏差很大是否基本上就是錯誤的?(排除紅移藍移) 3.兩種不同材料復合時,假如能形成PN結(jié),這種材料的PL譜圖中發(fā)光波長理論值如何計算? |

木蟲 (著名寫手)

鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員
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有幾個問題需要明確一下。 1.你的樣品是固體樣品嗎?你做的納米硅尺寸如何?均勻性如何? 2.你的樣品的光致發(fā)光是否有別的一些發(fā)光機制的可能?比如:表面態(tài)、缺陷、激子束縛等 3.F4500似乎不能測紅外熒光。好像最多到900吧。如果是量子尺寸效應導致的發(fā)光,在900nm波長范圍內(nèi)應該能看到的,一般集中在紅光波段。如果你的發(fā)光靠近藍光、紫外的話,很可能是表面缺陷(比如二氧化硅中的一些缺陷)和Si-H/Si-HO等化學鍵的發(fā)光。 4.建議樓主找一篇好點的綜述看看,會有一個比較全面的認識,這樣再定位到自己的實驗,就很有幫助。 |

銀蟲 (正式寫手)
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非常感謝您的回答 1.樣品是固態(tài)的樣品,形貌是硅(多孔硅)納米線陣列結(jié)構(gòu),均勻性還可以的。 2。對于光致發(fā)光機理,主要是借鑒多孔硅的發(fā)光機理,看有沒有改變或者新的現(xiàn)象,實驗是根據(jù)實驗設備和自己的目前實驗設計的,對這方面也不是很懂,看過一些文獻。 3.F4500不能測紅外光這個我倒是清楚,按多孔硅的機理,應該不是在紅外區(qū)的。 按照您您提的問題,我是不是可以這樣認為: 1.F4500是能夠測量PL的,只要材料的發(fā)光波長不在紅外就行。 2.還有一點對于固態(tài)材料,除了發(fā)光機理外,材料的形貌特征等因素也是重要的影響因素,這個形貌特征僅限于尺寸效應嗎,還有其他的機理呢? |

鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員
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1. 我猜測你做的納米線陣列是濕化學法做的吧?是不是參考的清華的彭奎慶(現(xiàn)在在北師大)還是南大的邱騰(現(xiàn)在在東南大學)的文章?。。。我的直覺而已哈 2. 我的回復中第3條中提到了:如果你的發(fā)光靠近藍光、紫外的話,很可能是表面缺陷(比如二氧化硅中的一些缺陷)和Si-H/Si-HO等化學鍵的發(fā)光。 3. 你樣品的發(fā)光是不是大概在350-370nm、400-420nm、470nm?我覺得是二氧化硅缺陷發(fā)光的可能性比較大,還有就是Si-H/Si-HO等化學鍵的發(fā)光。 除尺寸效應相關的機制外,在我的回帖第二條提到了別的機制(有:表面態(tài)、缺陷、激子束縛)。 4. 之所以排除量子尺寸帶來的藍移現(xiàn)象,是出于以下考慮:你制備的納米結(jié)構(gòu)(線陣列)的尺寸再怎么樣小,也不太可能小于幾個nm吧。而量子尺寸效應的適用范圍是要求材料尺度要小于激子波爾半徑的 |

銀蟲 (正式寫手)

鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員
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我3年前做過點這方面的工作,250-300nm激發(fā)應該都可以啊。 我覺得基本上就是缺陷發(fā)光了,無非是硅氧化物的氧過剩/不足/空位等缺陷發(fā)光,還有就是Si-H和Si-HO的發(fā)光?磥砟愕乃悸泛臀耶敃r差不多啊,呵呵,不過我覺得這東西沒啥搞頭了,我倒是建議你往傳感器方面去做,彭奎慶已經(jīng)用這個結(jié)構(gòu)做了好多器件了(主要是各種電池),Nano Letters,ADV,AFM,angrew,apl這些雜志都發(fā)遍了!邱騰則把和這個結(jié)構(gòu)有關的貴金屬納米結(jié)構(gòu)的熒光做透了,用一般的思路和儀器表征手段很難有什么突破了!看你什么要求了,認真點,得往應用上靠才能有點東西出來,不然就往多孔硅發(fā)光機理和表面修飾上走,湊篇垃圾的SCI了事。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-19 at 15:03 ] |

銀蟲 (正式寫手)

鐵桿木蟲 (正式寫手)
硅材料研發(fā)人員

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