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jackson19銀蟲 (正式寫手)
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[交流]
【請教】做PL使用儀器問題以及其他相關(guān)問題？ 已有4人參與
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最近想做硅納米結(jié)構(gòu)材料的光致發(fā)光，使用的是日立F-4500熒光分光光度計(jì)，做出來的結(jié)果基本上沒與硅材料帶隙重合，選擇時(shí)激發(fā)光選擇比文獻(xiàn)報(bào)道的514.5nm都小，對(duì)于這個(gè)現(xiàn)象我有以下幾個(gè)問題： 1.大家做PL用的是什么儀器，激發(fā)光源如何選擇？用熒光分光光度計(jì)如果能行的話，是不是材料的選擇限定于熒光發(fā)光較強(qiáng)的材料呢？ 2.同種材料根據(jù)帶隙計(jì)算出發(fā)光波長，偏差很大是否基本上就是錯(cuò)誤的？（排除紅移藍(lán)移） 3.兩種不同材料復(fù)合時(shí)，假如能形成PN結(jié)，這種材料的PL譜圖中發(fā)光波長理論值如何計(jì)算？ |
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SCU_magiclee
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小木蟲(金幣+0.5):給個(gè)紅包，謝謝回帖交流
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有幾個(gè)問題需要明確一下。 1.你的樣品是固體樣品嗎？你做的納米硅尺寸如何？均勻性如何？ 2.你的樣品的光致發(fā)光是否有別的一些發(fā)光機(jī)制的可能？比如：表面態(tài)、缺陷、激子束縛等 3.F4500似乎不能測紅外熒光。好像最多到900吧。如果是量子尺寸效應(yīng)導(dǎo)致的發(fā)光，在900nm波長范圍內(nèi)應(yīng)該能看到的，一般集中在紅光波段。如果你的發(fā)光靠近藍(lán)光、紫外的話，很可能是表面缺陷（比如二氧化硅中的一些缺陷）和Si-H/Si-HO等化學(xué)鍵的發(fā)光。 4.建議樓主找一篇好點(diǎn)的綜述看看，會(huì)有一個(gè)比較全面的認(rèn)識(shí)，這樣再定位到自己的實(shí)驗(yàn)，就很有幫助。 |
3樓2010-11-19 09:54:03
hzlian
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2樓2010-11-19 01:39:09
jackson19
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非常感謝您的回答 1.樣品是固態(tài)的樣品，形貌是硅（多孔硅）納米線陣列結(jié)構(gòu)，均勻性還可以的。 2。對(duì)于光致發(fā)光機(jī)理，主要是借鑒多孔硅的發(fā)光機(jī)理，看有沒有改變或者新的現(xiàn)象，實(shí)驗(yàn)是根據(jù)實(shí)驗(yàn)設(shè)備和自己的目前實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的，對(duì)這方面也不是很懂，看過一些文獻(xiàn)。 3.F4500不能測紅外光這個(gè)我倒是清楚，按多孔硅的機(jī)理，應(yīng)該不是在紅外區(qū)的。 按照您您提的問題，我是不是可以這樣認(rèn)為： 1.F4500是能夠測量PL的，只要材料的發(fā)光波長不在紅外就行。 2.還有一點(diǎn)對(duì)于固態(tài)材料，除了發(fā)光機(jī)理外，材料的形貌特征等因素也是重要的影響因素，這個(gè)形貌特征僅限于尺寸效應(yīng)嗎，還有其他的機(jī)理呢？ |
4樓2010-11-19 13:28:55
SCU_magiclee
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1. 我猜測你做的納米線陣列是濕化學(xué)法做的吧？是不是參考的清華的彭奎慶（現(xiàn)在在北師大）還是南大的邱騰（現(xiàn)在在東南大學(xué)）的文章？。。。我的直覺而已哈 2. 我的回復(fù)中第3條中提到了：如果你的發(fā)光靠近藍(lán)光、紫外的話，很可能是表面缺陷（比如二氧化硅中的一些缺陷）和Si-H/Si-HO等化學(xué)鍵的發(fā)光。 3. 你樣品的發(fā)光是不是大概在350-370nm、400-420nm、470nm？我覺得是二氧化硅缺陷發(fā)光的可能性比較大，還有就是Si-H/Si-HO等化學(xué)鍵的發(fā)光。 除尺寸效應(yīng)相關(guān)的機(jī)制外，在我的回帖第二條提到了別的機(jī)制（有：表面態(tài)、缺陷、激子束縛）。 4. 之所以排除量子尺寸帶來的藍(lán)移現(xiàn)象，是出于以下考慮：你制備的納米結(jié)構(gòu)（線陣列）的尺寸再怎么樣小，也不太可能小于幾個(gè)nm吧。而量子尺寸效應(yīng)的適用范圍是要求材料尺度要小于激子波爾半徑的 |
5樓2010-11-19 13:49:13
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