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【求助】為什么本征半導體不能用于制備二極管
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為什么本征半導體不能用于制備二極管？ 我查找了一些資料，發(fā)現(xiàn)最確切的解釋是能帶的任意彎曲將在本征半導體表面出現(xiàn)富集層，而不是耗盡層，因而本征半導體不能用于制備二極管。 但是，為什么能帶的彎曲會在本征半導體表面出現(xiàn)富集層，而不是耗盡層呢？而能帶的彎曲能在非本征半導體表面出現(xiàn)耗盡層？能帶的彎曲對于本征半導體、非本征半導體出現(xiàn)這樣的差別，又應該怎么理解呢？ 其中，僅僅按照論文中的實際器件，具體是指本征半導體和金屬不能形成肖特基二極管。 希望，哪位牛人指點一下？最好能告訴我在具體哪一本書的哪些頁能找到相關的解釋?我用讀秀學術搜索和google搜索，都沒有找到需要的東西，可能是我的搜索能力還很缺乏。 謝謝大家！ 請大家不要將金屬與半導體的接觸相混淆�！澳軒У娜我鈴澢鷮⒃诒菊靼雽w表面出現(xiàn)富集層，而不是耗盡層，因而本征半導體不能用于制備二極管。”這一說法，并沒有任何前提條件，也就是不管你的功函數(shù)怎么樣，這一結(jié)論都成立。 我有個新的想法，不知道能否解釋這個現(xiàn)象。 本征半導體，或者近似本征的半導體，其多數(shù)載流子濃度與少數(shù)載流子濃度接近，多數(shù)載流子濃度較低。 一個近似本征導電的n型半導體，其與金屬接觸，且金屬的功函數(shù)大于半導體的功函數(shù)。兩者相接觸，半導體中的電子將向金屬流動，使金屬表面帶負電，半導體表面帶正電，從而使得金屬與半導體的費米能級逐漸接近，直到金屬與半導體的費米能級相同。近似本征導電的n型半導體其電子濃度低，即使半導體中的電子全跑到金屬中，仍不能使金屬與半導體的費米能級相同，從而導致半導體內(nèi)部的空穴也向界面移動，以減少半導體的費米能級，從而導致與金屬接觸的半導體近表面空穴濃度很高，富集空穴。所以能帶的任意彎曲將在本征半導體表面出現(xiàn)富集層，而不是耗盡層。 [ Last edited by luolin on 2011-2-23 at 17:10 ] |
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