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小剛剛木蟲 (正式寫手)
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[求助]
硅基薄膜的窗口層
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| 目前硅基薄膜太陽(yáng)能電池都普遍用P型非晶硅或P型碳化硅，這是為什么呢？窗口層能用N型材料嗎？ |
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cord 
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zhaohaixing(金幣+1): 歡迎專家顧問(wèn)多指導(dǎo)~~ 2011-06-09 09:02:46
小剛剛(金幣+2): 能更詳細(xì)一點(diǎn)嗎？為什么只能2ev?謝謝了啊！ 2011-06-09 09:09:36
小剛剛(金幣+8): 2011-06-11 08:14:21
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小剛剛(金幣+2): 能更詳細(xì)一點(diǎn)嗎？為什么只能2ev?謝謝了啊！ 2011-06-09 09:09:36
小剛剛(金幣+8): 2011-06-11 08:14:21
| if you could increase the bangap of n type to around 2.0eV and DOS in instrinsic layer is very low, you can use it. |
2樓2011-06-09 01:53:22
小剛剛
木蟲 (正式寫手)
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4樓2011-06-09 09:29:05
knightshui
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shecf(金幣+3): 謝謝參與交流~ 2011-07-05 10:08:27
shecf(金幣+3): 謝謝參與交流~ 2011-07-05 10:08:27
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你的意思是問(wèn)，為什么電池都是p型層受光對(duì)吧，受光層和窗口層的概念好像還不一樣，那個(gè)你可以找書看看，先不討論。 p型層當(dāng)受光面好像是因?yàn)�，受光的發(fā)射區(qū)都比較薄，而下面的基區(qū)都比較厚，產(chǎn)生光生載流子后，空穴和電子都要運(yùn)動(dòng)到結(jié)區(qū)才能被分離。電子的遷移率大，擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)，空穴的遷移率小，擴(kuò)散長(zhǎng)度短。 如果受光面用n型的話倒是沒什么問(wèn)題，可是下面的p型區(qū)由于較厚，產(chǎn)生的電子被復(fù)合了，而空穴運(yùn)動(dòng)的又短，也起不了什么作用。所以效果很不好。而p型在上，較薄的話，空穴和電子都容易運(yùn)動(dòng)到結(jié)區(qū)，效果要好得多。 不知說(shuō)明白沒有，呵呵。 |
5樓2011-07-05 00:58:25
6樓2011-07-06 19:58:43
小剛剛
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10樓2014-03-05 20:05:33
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