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cenwanglai無蟲
老和山猥瑣派九段
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[求助]
不等價摻雜半導體的間隙態(tài)會“停在"哪個原子上?
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近來看了幾篇hole的localization文章(其中一篇PRB文章見http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=4118877)。有以下問題想請教。物理懂得少,希望得到幫助:回答問題或者指條路。 (1)背景:Mn摻雜TiO2。 假定Mn是+2價。Mn取代Ti的位置,標記為Mn_{Ti}, 缺兩個電子,形成兩個hole。 A.這兩個hole如果都localization到Mn上,那么,DOS上會在禁帶中出現(xiàn)一個population為2e的間隙態(tài)。這個間隙態(tài)純粹由Mn3d組成。 B.這兩個hole如果都localization到某一個O原子上,那么,DOS上會在禁帶中出現(xiàn)一個population為2e的間隙態(tài)。這個間隙態(tài)純粹由這個O的2p組成。這個O原子會很容易離開固體進去氣相,形成一個氧空位。這個就是電荷補償效應。氧空位形成能小于零,含一個氧空位的結(jié)構(gòu)為最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 C.這兩個hole如果都localization到O原子上,但是localization到Mn周圍最近距離的多個O原子上。那么,DOS上會在禁帶中出現(xiàn)一個population為2e的間隙態(tài)。這個間隙態(tài)純粹由這幾個O的2p組成。失去其中某個O原子形成一個氧空位,留下x (0 D.這兩個hole如果一個localization到某個O原子上,剩下一個localization到Mn2+上。這個時候就形成Mn3+-------O-離子對。失去這個O原子形成一個氧空位,留下1個電子。這1個電子填充到Mn3+上,形成Mn2+離子。 (2)問題: E. 如果不是Mn,而是某個+2價原子Y,這兩個hole的局域方式,上面四種情況是否都有可能? F. 是否可以通過VASP人為設定出同一元素Y摻雜TiO2的以上四種情況,通過比較能量大小來確定到底是哪一種情況? [ Last edited by cenwanglai on 2012-2-18 at 09:39 ] |
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新蟲
老和山猥瑣派九段
管理員

無蟲
老和山猥瑣派九段
管理員
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既然這樣 我們暫時不管這件事情 等審稿人提問 再說吧 1)一下4種模型 都是有可能的 但是 可能性或許不同 不知道是否有材料測試的證據(jù) A. 2 hole + Mn2+ = ? 確定是population為2e的間隙態(tài)。如果我認為那就是Mn4+,如何反駁我? B. “氧空位形成能小于零,含一個氧空位的結(jié)構(gòu)為最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)” ,是對TiO2摻雜體系的結(jié)論嗎? 是否有測試結(jié)果證實其存在(文獻)。 C. 個人認為 這個模型似乎比“B”模型合理,當還是計算一下才知道。 D. 形成Mn3+--O-離子對,應該能被接受。 (2)拓展到其它摻雜體系 問題應該不大 E. 要看+2價原子Y具體是什么 F. VASP 我不會用。 “人為設定出同一元素Y摻雜TiO2的以上四種情況,通過比較能量大小來確定到底是哪一種情況”,這應該是很合理的研究方法 建模問題 我不是很熟悉 以上意見 僅供參考 有問題 最好問問您的導師 |

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