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flymice金蟲 (著名寫手)
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[求助]
關(guān)于dmol3的收斂性測(cè)試
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| att,我正在用ms的dmol3計(jì)算吸附能,在查閱K點(diǎn)設(shè)置相關(guān)帖子時(shí),看到很多關(guān)于收斂性測(cè)試的帖子。castep模塊的electronic里有energy cutoff選項(xiàng),但是在dmol3里面卻沒(méi)有,想問(wèn)一下,是否dmol3 是不需要進(jìn)行收斂性測(cè)試的?那K點(diǎn)應(yīng)該怎么取比較合適? |
ms計(jì)算模型及其方法 |

榮譽(yù)版主 (職業(yè)作家)
| 原則上k點(diǎn)和截?cái)嗄芏夹枰獪y(cè)試,一般的計(jì)算中用fine選項(xiàng)一般會(huì)滿足要求,但是為了有把握,還是測(cè)試一下的好 |
木蟲 (正式寫手)
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如果是bulk,可以abc三個(gè)同時(shí)加,不過(guò)一般情況下不用加到太大, 你可以參考一些文獻(xiàn),看看你的這個(gè)東西別人有沒(méi)有算過(guò),如果有算過(guò)可以不用測(cè)試,引用一下就行。 如果真是找不到文獻(xiàn),那就從4*4*4開(kāi)始吧,這個(gè)很多時(shí)候憑經(jīng)驗(yàn)的。 另外表面吸附,你是不是用slab模擬表面,那么abc中應(yīng)該有一個(gè)是1才對(duì),比如slab表面法向方向沿著z軸方向,那么c=1,其他兩個(gè)測(cè)試一下。不過(guò)通常表面體系比較大,如果計(jì)算資源不是超強(qiáng)的話,建議不要超過(guò)4*4*1。 |
木蟲 (正式寫手)
金蟲 (著名寫手)

木蟲 (正式寫手)
金蟲 (著名寫手)
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也就是說(shuō),必須取多個(gè)K點(diǎn),cutoff不變,每個(gè)K點(diǎn)計(jì)算一遍? 然后取一個(gè)相對(duì)合理的K點(diǎn),變化cutoff,每個(gè)cutoff計(jì)算一遍? 是否可以這樣理解收斂性測(cè)試? 此外,K點(diǎn)是a*b*c的形式,怎么增加K點(diǎn)呢?如何在已知晶格結(jié)構(gòu)的情況下,選擇相對(duì)合理的點(diǎn)?K點(diǎn)選取與晶格結(jié)構(gòu)有關(guān),高手當(dāng)然可以自己根據(jù)晶格結(jié)構(gòu)推導(dǎo),但是我們對(duì)固體物理不熟悉(勿笑,正在學(xué)習(xí)中)的人,可以通過(guò)這個(gè)網(wǎng)站 http://www.cryst.ehu.es/cgi-bin/ ... ph-kv-list?gnum=129 例如這里面的label表下面的值是否都得取,隨后連接成路徑? 再麻煩你一下,就是在做分子在晶體表面吸附時(shí),是否還需調(diào)整K點(diǎn),還是沿用原來(lái)優(yōu)化晶格時(shí)所設(shè)定的K點(diǎn)? |

木蟲 (著名寫手)
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1、收斂性測(cè)試不僅僅只有K點(diǎn),對(duì)于不同的計(jì)算體系還有其它不同需要測(cè)試項(xiàng); 2、在不熟悉的情況下,建議用默認(rèn)K點(diǎn)設(shè)置,再在此基礎(chǔ)上簡(jiǎn)單測(cè)試下就行了; 3、多多參考相關(guān)的計(jì)算文獻(xiàn),看看別人對(duì)于類似于你的體系都做了哪些測(cè)試,具體又是怎么測(cè)試的~~ |

金蟲 (著名寫手)

金蟲 (正式寫手)
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