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flymice金蟲 (著名寫手)
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[求助]
關(guān)于dmol3的收斂性測試
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| att,我正在用ms的dmol3計算吸附能,在查閱K點設(shè)置相關(guān)帖子時,看到很多關(guān)于收斂性測試的帖子。castep模塊的electronic里有energy cutoff選項,但是在dmol3里面卻沒有,想問一下,是否dmol3 是不需要進(jìn)行收斂性測試的?那K點應(yīng)該怎么取比較合適? |
ms計算模型及其方法 |

榮譽版主 (職業(yè)作家)
木蟲 (正式寫手)
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如果是bulk,可以abc三個同時加,不過一般情況下不用加到太大, 你可以參考一些文獻(xiàn),看看你的這個東西別人有沒有算過,如果有算過可以不用測試,引用一下就行。 如果真是找不到文獻(xiàn),那就從4*4*4開始吧,這個很多時候憑經(jīng)驗的。 另外表面吸附,你是不是用slab模擬表面,那么abc中應(yīng)該有一個是1才對,比如slab表面法向方向沿著z軸方向,那么c=1,其他兩個測試一下。不過通常表面體系比較大,如果計算資源不是超強的話,建議不要超過4*4*1。 |
木蟲 (正式寫手)
金蟲 (著名寫手)

木蟲 (正式寫手)
金蟲 (著名寫手)
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也就是說,必須取多個K點,cutoff不變,每個K點計算一遍? 然后取一個相對合理的K點,變化cutoff,每個cutoff計算一遍? 是否可以這樣理解收斂性測試? 此外,K點是a*b*c的形式,怎么增加K點呢?如何在已知晶格結(jié)構(gòu)的情況下,選擇相對合理的點?K點選取與晶格結(jié)構(gòu)有關(guān),高手當(dāng)然可以自己根據(jù)晶格結(jié)構(gòu)推導(dǎo),但是我們對固體物理不熟悉(勿笑,正在學(xué)習(xí)中)的人,可以通過這個網(wǎng)站 http://www.cryst.ehu.es/cgi-bin/ ... ph-kv-list?gnum=129 例如這里面的label表下面的值是否都得取,隨后連接成路徑? 再麻煩你一下,就是在做分子在晶體表面吸附時,是否還需調(diào)整K點,還是沿用原來優(yōu)化晶格時所設(shè)定的K點? |

木蟲 (著名寫手)

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