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關于簡單讀取態(tài)密度圖和能帶信息的方法
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Materials-studio | 第一性原理 | 第一性原理計算 | 我的饕餮 |
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大部分純的硅材料或者納米結構是半導體(不是所有,取決于結構)。 圖片中的體系應該是K摻雜Si的這樣一種體系。 據(jù)我的經(jīng)驗,圖中沒摻雜的Si體系應該是半導體,如果該體系符合剛性能帶近似的話,中性半導體的帶隙在 1.2 eV左右。 但是,現(xiàn)在是K摻雜后的體系DOS的圖片。圖中,費米能級處態(tài)密度是有非零的具體數(shù)值的,意味著費米面與能帶交叉,產(chǎn)生了部分填充的能帶。 這樣的體系,很顯然具有導電性的金屬行為,帶隙為零。 |
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