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關(guān)于簡單讀取態(tài)密度圖和能帶信息的方法
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大部分純的硅材料或者納米結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體(不是所有,取決于結(jié)構(gòu))。 圖片中的體系應(yīng)該是K摻雜Si的這樣一種體系。 據(jù)我的經(jīng)驗(yàn),圖中沒摻雜的Si體系應(yīng)該是半導(dǎo)體,如果該體系符合剛性能帶近似的話,中性半導(dǎo)體的帶隙在 1.2 eV左右。 但是,現(xiàn)在是K摻雜后的體系DOS的圖片。圖中,費(fèi)米能級(jí)處態(tài)密度是有非零的具體數(shù)值的,意味著費(fèi)米面與能帶交叉,產(chǎn)生了部分填充的能帶。 這樣的體系,很顯然具有導(dǎo)電性的金屬行為,帶隙為零。 |
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以前,好像不是很久很久以前,小木蟲有一個(gè)關(guān)于DOS的貼,說過這樣一句:DOS圖中可以看出“贗能隙”,也就是在費(fèi)米能及兩側(cè)分別有兩個(gè)尖峰,而且兩尖峰之間的DOS并不為零。贗能隙直接反映出成鍵的共價(jià)性強(qiáng)弱,越寬越能說明共價(jià)越強(qiáng)。共價(jià)性越強(qiáng)(你就對照你的結(jié)果和要說明的問題,自己開發(fā)吧)... ... 另外,導(dǎo)帶最低和價(jià)帶最高的差為帶隙在DOS中也是適用的,置于樓上有哥們說你的價(jià)帶越過費(fèi)米能及了,就是金屬,怎么說了,這是一個(gè)不同領(lǐng)域的人的不同說法,從導(dǎo)電性講,也對,但也不能否認(rèn)有隙的存在。 |
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