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[交流]
請教磁控濺射的氣壓和功率對薄膜質(zhì)量的作用，謝謝！
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請問磁控濺射時，氣壓和功率的大小與生長的薄膜質(zhì)量的關(guān)系是什么？ 還有一個問題是：功率大小對應(yīng)磁控濺射中的哪一個條件？是Ar+離子的速度？還是Ar+離子的數(shù)量？ 謝謝大家！ |
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4樓2012-05-04 08:52:55
★ ★ ★ ★
meteorabob(金幣+1): 謝謝參與
蔣青松: 金幣+1, 鼓勵交流 2012-06-30 09:19:05
meteorabob: 金幣+2, 您的回答很有幫助！我說的是Ar的氣壓，謝謝！ 2012-07-02 08:52:21
meteorabob(金幣+1): 謝謝參與
蔣青松: 金幣+1, 鼓勵交流 2012-06-30 09:19:05
meteorabob: 金幣+2, 您的回答很有幫助！我說的是Ar的氣壓，謝謝！ 2012-07-02 08:52:21
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不知道你問的是base pressure 還是濺射過程通Ar時保持的壓力，前面當然越低越好，有氧氣或氮氣，薄膜的純度會下降，Ar的壓力，太高，濺射太快，靶材損耗大，低了可能起不了輝光，膜長得慢。 功率大小跟速度有關(guān)系，功率大,Ar+的速度快，沉積速度快，但可能會造成后期長上的膜被撞擊下來，厚度增長緩慢，甚至減小 [ Last edited by shitou982 on 2012-6-29 at 19:59 ] |
13樓2012-06-29 19:57:09
2樓2012-05-02 18:03:45
3樓2012-05-02 18:30:58
5樓2012-05-04 23:05:59
★ ★ ★ ★ ★ ★
meteorabob: 金幣+5, 好，謝謝啦！您講得很詳細 2012-05-09 13:15:25
蔣青松: 金幣+1, 鼓勵交流 2012-06-30 09:18:43
meteorabob: 金幣+5, 好，謝謝啦！您講得很詳細 2012-05-09 13:15:25
蔣青松: 金幣+1, 鼓勵交流 2012-06-30 09:18:43
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為了保護分子泵，一般工作氣壓是要小10Pa的。只要真空腔內(nèi)有其它物質(zhì)肯定有微量的摻雜，這是可以忽略不計的。工作氣壓的大小對沉積速率是有一定影響的，有一個最大值，你可以根據(jù)你的材料和你實驗的其它條件測出這個最優(yōu)值。一般金屬靶材比較容易起輝，在1Pa左右就可以，陶瓷靶材一般在5到7Pa，當然也要根據(jù)實際情況，等靶材起輝穩(wěn)定后再將工作氣壓調(diào)到你所需要的工作氣壓，開始制備薄膜，一般是在0.5Pa。你要了解詳細的內(nèi)容，你可以找一本薄膜物理與技術(shù)方面的書看看，那上面比我講得詳細。 |
7樓2012-05-05 09:22:43
8樓2012-05-05 09:52:47
★
meteorabob(金幣+1): 謝謝參與
meteorabob(金幣+1): 謝謝參與
|
本帖內(nèi)容被屏蔽 |
9樓2012-06-28 14:52:19
10樓2012-06-28 17:05:21
|
本帖內(nèi)容被屏蔽 |
11樓2012-06-29 10:43:06
12樓2012-06-29 16:12:54
|
本帖內(nèi)容被屏蔽 |
14樓2012-06-30 08:19:33
15樓2012-06-30 08:34:48
16樓2012-07-02 08:49:40
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20樓2015-04-16 15:23:10
21樓2015-04-16 15:26:02
簡單回復
2012-05-04 23:40
回復
meteorabob(金幣+1): 謝謝參與
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