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[求助]
在催化劑表面進(jìn)行改性修飾,怎么確定Mg-o-Al鍵的生成或者M(jìn)g-o-Si的生成
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| 求助高手指導(dǎo),我在催化劑載體表面進(jìn)行修飾,怎么確定在催化劑表面有Mg-o-Al鍵的生成或者M(jìn)g-o-Si的存在,XPS行不? |

木蟲 (正式寫手)
木蟲 (正式寫手)
鐵蟲 (初入文壇)

木蟲 (正式寫手)
| 這個(gè)問(wèn)題可以通過(guò)紅外來(lái)解決。首先做一個(gè)純SiO2的紅外譜圖,修飾之后再做一個(gè),對(duì)比修飾之后紅外譜圖的差異,重點(diǎn)關(guān)注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反對(duì)稱伸縮振動(dòng)頻率,若峰位置發(fā)生改變,則證明有離子進(jìn)入Si-O-Si結(jié)構(gòu)而使其破壞。具體來(lái)說(shuō),Mg的原子質(zhì)量小于Si,因此若形成Mg-O-Si結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致1100 cm-1左右的振動(dòng)峰向高波數(shù)方向移動(dòng)。 |
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