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[求助]
在催化劑表面進(jìn)行改性修飾，怎么確定Mg-o-Al鍵的生成或者M(jìn)g-o-Si的生成
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| 求助高手指導(dǎo)，我在催化劑載體表面進(jìn)行修飾，怎么確定在催化劑表面有Mg-o-Al鍵的生成或者M(jìn)g-o-Si的存在，XPS行不？ |
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XPS理論上是可以的，但估計(jì)要 1 at% 左右才能檢測到。XPS的優(yōu)點(diǎn)是檢測表面上吸附的物質(zhì)很靈敏。檢測深度在5-10nm。 測得的結(jié)果可以和NIST數(shù)據(jù)庫里的文獻(xiàn)比對(duì)。 http://srdata.nist.gov/xps/main_search_menu.aspx |
9樓2012-05-31 01:58:21
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3樓2012-05-30 10:23:46
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【答案】應(yīng)助回帖
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shijunjun: 金幣+10, ★有幫助, 謝謝詳細(xì)解答 2012-05-30 19:31:27
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| 這個(gè)問題可以通過紅外來解決。首先做一個(gè)純SiO2的紅外譜圖，修飾之后再做一個(gè)，對(duì)比修飾之后紅外譜圖的差異，重點(diǎn)關(guān)注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反對(duì)稱伸縮振動(dòng)頻率，若峰位置發(fā)生改變，則證明有離子進(jìn)入Si-O-Si結(jié)構(gòu)而使其破壞。具體來說，Mg的原子質(zhì)量小于Si，因此若形成Mg-O-Si結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致1100 cm-1左右的振動(dòng)峰向高波數(shù)方向移動(dòng)。 |
4樓2012-05-30 11:42:47
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