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[交流]
請教金半接觸 肖特基勢壘的問題，多謝！
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理想情況下，金屬和半導(dǎo)體接觸是否形成肖特基勢壘，是由雙方的功函數(shù)決定； 金半接觸肖特基勢壘高度可由 金屬功函數(shù) 減去 半導(dǎo)體電子親和勢求出， 那么，功函數(shù)相等的金屬和半導(dǎo)體間還是會存在肖特基勢壘的，只不過勢壘的高度等于 半導(dǎo)體費(fèi)米能級到 導(dǎo)帶低的距離， 這個(gè)勢壘高度不會對金半接觸產(chǎn)生整流效果。。。 請問高人，小弟分析的對否~ |
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4樓2012-07-18 13:40:51
5樓2012-07-19 02:53:56
★
jlu_w(金幣+1): 謝謝參與
jlu_w(金幣+1): 謝謝參與
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沒有規(guī)定肖特基勢壘一定就是金屬中的電子遷移到半導(dǎo)體中。它的產(chǎn)生更籠統(tǒng)的說就是隨外加電壓的改變，載流子遷移發(fā)生變化。由于金屬半導(dǎo)體的費(fèi)米能級高度不同導(dǎo)致電子分布不均，電子會從費(fèi)米能級高的一端流向低的一端。還有半導(dǎo)體的功函數(shù)定義是費(fèi)米能級到真空電子能級的能量差，而不是導(dǎo)帶底。這兩個(gè)概念似乎還是有差異的。真空電子能級就是指電子成為真正的自由電子。而導(dǎo)帶的電子是參與導(dǎo)電的最外層價(jià)電子。 |
6樓2012-07-20 09:40:30
|
多謝回復(fù)！��！理論需要討論。。。不過大哥好像沒有真正理解我的意思，好像我也沒理解你的意思。。。（除了基本概念）。 做一個(gè)假設(shè)，Al和n-Si接觸的情況：Al功函數(shù)4.25eV，16次冪摻雜的n-Si的功函數(shù)一般也為4.25eV（n-Si電子親和勢4.05eV），所以不考慮表面態(tài)二者因?yàn)楣瘮?shù)相等（費(fèi)米能級齊平）而不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移。但是肖特基勢壘的計(jì)算公式可以為：Al的功函數(shù)減去n-Si的電子親和勢，即4.25-4.05=0.2eV。這么看來，Al和是n-Si之間是存在肖特基勢壘的，只不過這0.2eV的勢壘，正好也等于n-Si費(fèi)米能級到其導(dǎo)帶底的距離，不會產(chǎn)生整流效果。 呵呵~ |
7樓2012-07-20 10:25:18
8樓2012-07-20 10:34:58
9樓2012-07-20 15:55:39
！ 2樓2012-07-18 13:14:15
10樓2012-07-20 16:15:41
11樓2012-07-25 09:04:22
簡單回復(fù)
AnnF3樓
2012-07-18 13:32
回復(fù)
jlu_w(金幣+1): 謝謝參與
xc27204984412樓
2014-04-21 20:31
回復(fù)
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