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jlu_w木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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[交流]
請(qǐng)教金半接觸 肖特基勢(shì)壘的問(wèn)題,多謝!
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理想情況下,金屬和半導(dǎo)體接觸是否形成肖特基勢(shì)壘,是由雙方的功函數(shù)決定; 金半接觸肖特基勢(shì)壘高度可由 金屬功函數(shù) 減去 半導(dǎo)體電子親和勢(shì)求出, 那么,功函數(shù)相等的金屬和半導(dǎo)體間還是會(huì)存在肖特基勢(shì)壘的,只不過(guò)勢(shì)壘的高度等于 半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)到 導(dǎo)帶低的距離, 這個(gè)勢(shì)壘高度不會(huì)對(duì)金半接觸產(chǎn)生整流效果。。。 請(qǐng)問(wèn)高人,小弟分析的對(duì)否~ |
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新蟲(chóng) (小有名氣)
木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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沒(méi)有規(guī)定肖特基勢(shì)壘一定就是金屬中的電子遷移到半導(dǎo)體中。它的產(chǎn)生更籠統(tǒng)的說(shuō)就是隨外加電壓的改變,載流子遷移發(fā)生變化。由于金屬半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)高度不同導(dǎo)致電子分布不均,電子會(huì)從費(fèi)米能級(jí)高的一端流向低的一端。還有半導(dǎo)體的功函數(shù)定義是費(fèi)米能級(jí)到真空電子能級(jí)的能量差,而不是導(dǎo)帶底。這兩個(gè)概念似乎還是有差異的。真空電子能級(jí)就是指電子成為真正的自由電子。而導(dǎo)帶的電子是參與導(dǎo)電的最外層價(jià)電子。 |
木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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多謝回復(fù)。!理論需要討論。。。不過(guò)大哥好像沒(méi)有真正理解我的意思,好像我也沒(méi)理解你的意思。。。(除了基本概念)。 做一個(gè)假設(shè),Al和n-Si接觸的情況:Al功函數(shù)4.25eV,16次冪摻雜的n-Si的功函數(shù)一般也為4.25eV(n-Si電子親和勢(shì)4.05eV),所以不考慮表面態(tài)二者因?yàn)楣瘮?shù)相等(費(fèi)米能級(jí)齊平)而不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移。但是肖特基勢(shì)壘的計(jì)算公式可以為:Al的功函數(shù)減去n-Si的電子親和勢(shì),即4.25-4.05=0.2eV。這么看來(lái),Al和是n-Si之間是存在肖特基勢(shì)壘的,只不過(guò)這0.2eV的勢(shì)壘,正好也等于n-Si費(fèi)米能級(jí)到其導(dǎo)帶底的距離,不會(huì)產(chǎn)生整流效果。 呵呵~ |
木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
木蟲(chóng) (小有名氣)
木蟲(chóng) (小有名氣)
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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可能是我看的書(shū)比較少,還真不知道肖特基勢(shì)壘的計(jì)算公式有那么簡(jiǎn)單。在半導(dǎo)體物理書(shū)上我就找到一個(gè)勢(shì)壘厚度隨外壓變化的公式,那里面有三個(gè)變量:外壓,表面勢(shì),電子濃度。從前面的推導(dǎo)可知表面勢(shì)就是內(nèi)建電場(chǎng)的電勢(shì)差,也就是功函數(shù)之差除以q得到的。你用的那個(gè)公式很簡(jiǎn)單,我覺(jué)得應(yīng)該是有什么前提條件,你直接用那個(gè)公式就忘記考慮了那些個(gè)前提條件,所以才得到這樣一個(gè)結(jié)論。試著用最原始的公式來(lái)做。 |




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