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歐姆接觸 與 肖特基勢壘的差別 已有1人參與
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| 歐姆接觸跟肖特基勢壘的差別是什么？？ 求大神幫助！！ |
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s_suny
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既然你已經(jīng)搜索答案了，我就不太確定你到底想知道什么樣的差別。我大致說一下，如果有疑問歡迎繼續(xù)追問。 歐姆接觸和肖特基勢壘的差別主要體現(xiàn)在電流電壓特性上，也就是所謂的整流特性。歐姆接觸不具有整流特性，正向電壓無論加在電極的哪一端，電流都和電壓成正比，類似于一個(gè)小電阻的作用。 而肖特基接觸和pn結(jié)二極管類似，存在一個(gè)勢壘，在接觸面附近有耗盡層（空間電荷區(qū)）存在，這個(gè)是由于和金屬接觸的半導(dǎo)體材料的功函數(shù)與金屬功函數(shù)不同導(dǎo)致的。在這里要說明一下，歐姆接觸也是金屬與半導(dǎo)體的接觸，但是由于與金屬接觸的半導(dǎo)體材料的摻雜濃度或其他方面的因素導(dǎo)致功函數(shù)和金屬接近，二者不存在（或存在極小的）勢壘。因此，對(duì)于肖特基接觸而言，電壓的正極加在金屬上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電流隨電壓的指數(shù)變化曲線；電壓的正極加在半導(dǎo)體一側(cè)，會(huì)相當(dāng)于一個(gè)無限大的電阻（模擬電路中經(jīng)常這樣近似）。這就是所謂的整流特性。 |
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4樓2014-03-02 10:28:10
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3樓2014-03-01 11:37:00
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參考劉恩科的《半導(dǎo)體物理》： ”金屬與N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，若金屬功函數(shù)大于半導(dǎo)體功函數(shù)，則在半導(dǎo)體中電子向金屬轉(zhuǎn)移，在半導(dǎo)體體表面形成一個(gè)正的空間電荷區(qū)，其中電場方向由體內(nèi)指向表面，形成阻擋層；若金屬功函數(shù)小于半導(dǎo)體功函數(shù)，則電子從金屬流向半導(dǎo)體，形成反阻擋層，它對(duì)半導(dǎo)體和金屬的接觸電阻影響很小，實(shí)驗(yàn)中察覺不到。“ 如何確定金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)的高低，回答這個(gè)問題之前，我先引用書中的一些描述：大量的測量結(jié)果表明，不同的金屬，雖然功函數(shù)相關(guān)很大，而對(duì)比起來，它們與半導(dǎo)體接觸里弄碭勢壘高度相關(guān)卻很小。金屬功函數(shù)對(duì)勢壘高度沒有多大影響。進(jìn)一步研究提示出，這是由于半導(dǎo)體表面存在表面態(tài)的緣故。 如果你想采用實(shí)驗(yàn)的手段來確定金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)的高低，以下是我的想法，不一定對(duì)，你可以了解一下。 原理上你可以測量半導(dǎo)體的電子親和能，再根據(jù)半導(dǎo)體的摻雜來計(jì)算導(dǎo)帶底能級(jí)與費(fèi)米能級(jí)之間的關(guān)系來確定費(fèi)米能級(jí)，根據(jù)二者可以得到半導(dǎo)體功函數(shù)。但實(shí)際上半導(dǎo)體的表面態(tài)會(huì)影響測量結(jié)果。 |
9樓2015-08-14 17:03:36
2樓2014-02-28 21:40:29
5樓2014-03-02 15:25:48
般木
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8樓2015-08-14 10:32:56
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10樓2015-08-14 20:35:13
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