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jlu_w木蟲 (正式寫手)
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[求助]
有關(guān)肖特基勢壘 自建電勢
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做一個(gè)假設(shè),Al和n-Si接觸的情況:Al功函數(shù)4.25eV,16次冪摻雜的n-Si的功函數(shù)一般也為4.25eV(n-Si電子親和勢4.05eV),所以不考慮表面態(tài)二者因?yàn)楣瘮?shù)相等(費(fèi)米能級齊平)而不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移。但是肖特基勢壘的計(jì)算公式可以為:Al的功函數(shù)減去n-Si的電子親和勢,即4.25-4.05=0.2eV。這么看來,Al和是n-Si之間是存在肖特基勢壘的,只不過這0.2eV的勢壘,正好也等于n-Si費(fèi)米能級到其導(dǎo)帶底的距離,不會(huì)產(chǎn)生整流效果。 請大家指正小弟的分析! [ Last edited by jlu_w on 2012-7-20 at 10:37 ] |

鐵蟲 (初入文壇)
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