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jlu_w木蟲 (正式寫手)
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[求助]
有關(guān)肖特基勢壘 自建電勢
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做一個假設(shè)，Al和n-Si接觸的情況：Al功函數(shù)4.25eV，16次冪摻雜的n-Si的功函數(shù)一般也為4.25eV（n-Si電子親和勢4.05eV），所以不考慮表面態(tài)二者因為功函數(shù)相等（費米能級齊平）而不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移。但是肖特基勢壘的計算公式可以為：Al的功函數(shù)減去n-Si的電子親和勢，即4.25-4.05=0.2eV。這么看來，Al和是n-Si之間是存在肖特基勢壘的，只不過這0.2eV的勢壘，正好也等于n-Si費米能級到其導(dǎo)帶底的距離，不會產(chǎn)生整流效果。 請大家指正小弟的分析！ [ Last edited by jlu_w on 2012-7-20 at 10:37 ] |
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2樓2012-08-23 11:41:12
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