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[求助]
氧化鋁----陶瓷和單晶---磁控濺射
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哪位大俠能夠系統(tǒng)的介紹一下氧化鋁？主要是它的形態(tài)。 磁控濺射中，用陶瓷的好，還是用單晶的好，陶瓷的可能會出現(xiàn)斷裂，兩者的鍍膜質(zhì)量和鍍出來的氧化鋁膜形態(tài)一樣嗎？ |
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氧化鋁的形態(tài)？不清楚你要問什么 磁控濺射做氧化鋁膜沒有單晶靶，一般都是鋁靶反應(yīng)濺射，氧化鋁陶瓷做靶材對電源要求比較高，兩者鍍膜質(zhì)量一般來說陶瓷的好，但沉積速率慢，設(shè)備靶材都貴一些，鋁靶控制上要求高，控制得好薄膜質(zhì)量與陶瓷靶沒什么差別，兩種方法沉積的氧化鋁都有非晶成分，需要退火改善 |
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ncepuchen2樓2012-09-07 13:08:06
bazhuayuyu
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8樓2012-09-12 00:21:11
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不同的設(shè)備最好還是自己摸索一下，如果直流我覺得Ar流量可以先參考你們沉積鋁膜的流量，O2流量多少會影響到靶表面氧化程度，氧化程度高靶表面不導(dǎo)電的區(qū)域會聚集電荷放電，當(dāng)讓更高會引起靶中毒，所以需要自己觀察和調(diào)節(jié)，關(guān)于退火，我建議你如果有條件就比較一下氧氣和空氣下有無差別，溫度時間還是要去試的，我記得ALD沉積氧化鋁一般是在反應(yīng)氣體環(huán)境下400到450度退火的 |
11樓2012-09-12 22:26:29
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6樓2012-09-07 15:19:16
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10樓2012-09-12 21:49:21
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