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[求助]
氧化鋁----陶瓷和單晶---磁控濺射
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哪位大俠能夠系統(tǒng)的介紹一下氧化鋁?主要是它的形態(tài)。 磁控濺射中,用陶瓷的好,還是用單晶的好,陶瓷的可能會出現(xiàn)斷裂,兩者的鍍膜質(zhì)量和鍍出來的氧化鋁膜形態(tài)一樣嗎? |

木蟲 (著名寫手)
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氧化鋁的形態(tài)?不清楚你要問什么 磁控濺射做氧化鋁膜沒有單晶靶,一般都是鋁靶反應(yīng)濺射,氧化鋁陶瓷做靶材對電源要求比較高,兩者鍍膜質(zhì)量一般來說陶瓷的好,但沉積速率慢,設(shè)備靶材都貴一些,鋁靶控制上要求高,控制得好薄膜質(zhì)量與陶瓷靶沒什么差別,兩種方法沉積的氧化鋁都有非晶成分,需要退火改善 |
木蟲 (著名寫手)
木蟲 (著名寫手)
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不同的設(shè)備最好還是自己摸索一下,如果直流我覺得Ar流量可以先參考你們沉積鋁膜的流量,O2流量多少會影響到靶表面氧化程度,氧化程度高靶表面不導(dǎo)電的區(qū)域會聚集電荷放電,當讓更高會引起靶中毒,所以需要自己觀察和調(diào)節(jié),關(guān)于退火,我建議你如果有條件就比較一下氧氣和空氣下有無差別,溫度時間還是要去試的,我記得ALD沉積氧化鋁一般是在反應(yīng)氣體環(huán)境下400到450度退火的 |
金蟲 (著名寫手)


金蟲 (著名寫手)



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