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[求助]
在溝槽中使用PECVD工藝沉積SiO2
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在一個(gè)溝槽中，例如，深度為6um，寬度為6um，使用PECVD沉積SiO2。 假設(shè)溝槽側(cè)壁垂直，請問 1、溝槽底部和外部的的SiO2的厚度和均勻性如何？ 2、側(cè)壁的SiO2的覆蓋能力如何？厚度如何？ |
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leongoall
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| 這個(gè)跟你鍍膜過程有關(guān)系，如樣品臺(tái)是否旋轉(zhuǎn)，溝槽側(cè)面與平面垂直的話一般在側(cè)壁比較難得到均勻的膜，應(yīng)該是溝槽底部最厚，然后側(cè)壁有較薄的一層膜。樓主可以看看Michael A. Liberman的《等離子體放電原理與材料處理》（2nd Edition） |
2樓2012-10-12 13:20:46
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本帖內(nèi)容被屏蔽 |
3樓2014-06-24 22:20:02
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