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husthuangbin金蟲(chóng) (小有名氣)
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[交流]
半導(dǎo)體電性能測(cè)試，Si片背面電極制備 已有4人參與
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大家好，目前我在做MOS的電性能測(cè)試（CV、IV），但是實(shí)驗(yàn)室的探針臺(tái)只能在正面扎針，請(qǐng)問(wèn)怎樣才能將Si片背面的電極引出來(lái)呢？ 此外我試過(guò)用HF酸去除部分硅片表面的絕緣層，制作了如下的表面電極結(jié)構(gòu)，但是測(cè)試之后得到的CV曲線與使用的Si片趨勢(shì)剛好相反，我使用的基底是P型硅，得到的卻是N型硅的CV曲線，請(qǐng)問(wèn)這會(huì)不會(huì)可能是HF酸沒(méi)有腐蝕干凈呢？ 圖片1.png CV-test-HF-750um-different frequency.jpg |
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 半導(dǎo)體技術(shù) |
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