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husthuangbin金蟲 (小有名氣)
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[交流]
半導(dǎo)體電性能測試,Si片背面電極制備 已有4人參與
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半導(dǎo)體技術(shù) |
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金蟲 (小有名氣)
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理論上退火是可以的,但是實(shí)際上Au的歐姆接觸很不好控制,因?yàn)榘雽?dǎo)體工藝中極少用Au,Au是重金屬雜質(zhì)。 我的意見是,重新做。用雙拋的片子,在硅片的背面做歐姆接觸,做金屬電極,然后再在正面PECVD鈍化層,再做你的Al2O3,再做電極。這種做過歐姆接觸的片子我這兒也許能找到現(xiàn)成的,需要的話可以聯(lián)系我,我翻翻看。 或者是,直接把Au電極扒掉,直接扎在Si上試試。如果你是高摻雜的硅的話,可能還不會有事。 |
金蟲 (著名寫手)
新蟲 (初入文壇)
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