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husthuangbin金蟲 (小有名氣)
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[交流]
半導(dǎo)體電性能測試，Si片背面電極制備 已有4人參與
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大家好，目前我在做MOS的電性能測試（CV、IV），但是實(shí)驗(yàn)室的探針臺只能在正面扎針，請問怎樣才能將Si片背面的電極引出來呢？ 此外我試過用HF酸去除部分硅片表面的絕緣層，制作了如下的表面電極結(jié)構(gòu)，但是測試之后得到的CV曲線與使用的Si片趨勢剛好相反，我使用的基底是P型硅，得到的卻是N型硅的CV曲線，請問這會不會可能是HF酸沒有腐蝕干凈呢？ 圖片1.png CV-test-HF-750um-different frequency.jpg |
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 半導(dǎo)體技術(shù) |
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3樓2012-11-19 11:38:39
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4樓2012-11-19 11:38:56
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