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husthuangbin金蟲 (小有名氣)
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[交流]
半導(dǎo)體電性能測試，Si片背面電極制備 已有4人參與
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大家好，目前我在做MOS的電性能測試（CV、IV），但是實(shí)驗(yàn)室的探針臺(tái)只能在正面扎針，請問怎樣才能將Si片背面的電極引出來呢？ 此外我試過用HF酸去除部分硅片表面的絕緣層，制作了如下的表面電極結(jié)構(gòu)，但是測試之后得到的CV曲線與使用的Si片趨勢剛好相反，我使用的基底是P型硅，得到的卻是N型硅的CV曲線，請問這會(huì)不會(huì)可能是HF酸沒有腐蝕干凈呢？ 圖片1.png CV-test-HF-750um-different frequency.jpg |
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 半導(dǎo)體技術(shù) |
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
yanhualover: 金幣+1, 謝謝參與，期待更精彩。 2012-12-02 23:52:31
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理論上退火是可以的，但是實(shí)際上Au的歐姆接觸很不好控制，因?yàn)榘雽?dǎo)體工藝中極少用Au，Au是重金屬雜質(zhì)。 我的意見是，重新做。用雙拋的片子，在硅片的背面做歐姆接觸，做金屬電極，然后再在正面PECVD鈍化層，再做你的Al2O3，再做電極。這種做過歐姆接觸的片子我這兒也許能找到現(xiàn)成的，需要的話可以聯(lián)系我，我翻翻看。 或者是，直接把Au電極扒掉，直接扎在Si上試試。如果你是高摻雜的硅的話，可能還不會(huì)有事。 |
7樓2012-11-20 08:49:11
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